• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1997

Résumé en langue originale

Dans ce memoire nous presentons les potentialites du transistor hemt pseudomorphique sur gaas pour l'amplification de puissance hyperfrequence en nous interessant plus particulierement a l'influence de la temperature sur les performances et celle de sa topologie notamment le recess de grille. Nous developpons, a partir d'un modele de simulation hydrodynamique bidimensionnelle, une analyse physique precise des phenomenes de transport electronique dans le composant. Ce modele theorique est base sur la resolution des equations fondamentales des semi-conducteurs deduites de l'equation de transport de boltzmann. Cette analyse est completee par une comparaison theorie experience qui permet de valider notre logiciel. L'etude theorique prend en compte les phenomenes apparaissant au sein du composant fonctionnant en amplification de puissance. Dans un premier temps, nous avons determine l'influence de l'elevation de la temperature sur les performances. Nous nous sommes ensuite penches sur l'importance de la geometrie d'un composant notamment le recess de grille. A l'aide de notre modele, nous avons montre qu'une topologie adaptee du transistor permet de limiter l'apparition du phenomene de claquage dans les composants. D'autre part, nous avons mis en evidence le role determinant du potentiel de surface pour les structures a grille courte destinees a l'amplification de puissance.