• Langue : Français
• Discipline : Génie électrique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1997

Résumé en langue originale

La modelisation d'une cellule elementaire de commutation a un transistor et une diode presentee au chapitre v ne pose pas de probleme particulier, pas plus que celle a deux interrupteurs trois segments bidirectionnels en courant. Il en va tout autrement des cellules utilisant des interrupteurs bidirectionnels en tension qui font l'objet du chapitre vi, et ce a cause des changements d'etat simultanes d'une diode et d'un transistor en serie. Les modeles spice standards ne donnent pas toujours des resultats satisfaisants quant a la repartition des tensions entre le transistor et la diode a l'etat bloque. Les modeles comportementaux proposes donnent des resultats plus satisfaisants qui permettent, dans le chapitre vii, d'etudier les conditions de commutation des ibtc realises par association anti-parallele d'interrupteurs bidirectionnels en tension. Les informations recueillies au cours de la realisation de ce travail ont permis la mise au point d'un dispositif de commande des transistors a grille isolee qui reduit les contraintes sur les interrupteurs dans les differentes configurations de cellules, et en particulier celle a ibtc. Les travaux presentes ont pour objectif la realisation de modeles d'interrupteurs de puissance bidirectionnels en tension obtenus par association en serie de transistors et de diodes, et l'application de ces modeles a l'etude des commutations des interrupteurs bidirectionnels totalement commandables (ibtc). Le premier chapitre presente les differentes cellules de commutation, de la cellule elementaire a la cellule a quatre quadrants, en prenant la bidirectionnalite en tension comme critere de classification. Le chapitre ii passe en revue les differentes methodes utilisees pour modeliser les interrupteurs de puissance a semi-conducteur. Pour reduire la complexite des problemes poses par l'association de deux composants bipolaires, les transistors choisis sont du type mosfet, qui se pretent plus facilement a la modelisation comportementale. Pour les diodes, des hypotheses simplificatrices sont necessaires pour garder au modele une taille compatible avec l'utilisation envisagee. Les chapitres iii et iv sont consacres a l'elaboration des modeles comportementaux et a la modification des modeles spice de diode et de transistor mos destines a etre associes dans les cellules de commutation. Ces differents modeles sont ensuite assembles morceau par morceau pour etre valides en comparant les releves experimentaux et les resultats de simulation.