Université Lille1 - Sciences et Technologies Hydrogénation et neutralisation des donneurs dans les semiconducteurs de la filière GaAs : évolution en fonction de la température, du champ électrique et du courant Hydrogenation and donor neutralisation in gaas related semiconductors Modèle de Mathiot 537.622 3 Électrochimie Hydrogénation Composés semiconducteurs Neutralisation (chimie) Arséniure de gallium Text Electronic Thesis or Dissertation fr Apres avoir ajuste les valeurs des paramètres régissant les mécanismes lies a l'hydrogénation, de bons accords ont pu être obtenus entre les simulations et les résultats expérimentaux pour l'hydrogénation et pour la stabilité thermique. Par contre, pour retrouver les résultats obtenus avec les diodes polarisées en inverse, il a été nécessaire de prendre en compte dans notre modèle un effet du champ électrique sur la réactivation des impuretés. De plus, nous avons pu montrer qu'un courant d'électrons peut également jouer un rôle majeur dans cette réactivation. En conclusion, nous avons montre que l'introduction involontaire d'hydrogène dans le processus de fabrication d'un composant peut diminuer sa fiabilité. Des études récentes ont montre qu'il était possible de fabriquer des composants électroniques performants en utilisant la neutralisation des impuretés par exposition a un plasma d'hydrogène. Cependant ce procédé n'a d'intérêt que si ces composants sont aussi fiables que ceux réalisés avec des procédés plus classiques. C'est pourquoi nous avons étudie, tant expérimentalement que théoriquement, comment la température, le champ électrique et le courant pouvaient modifier les caractéristiques des semiconducteurs hydrogènes. Le procédé de simulation numérique utilise dans la partie théorique de ce travail est base sur le modèle de mathiot. Ce procédé décrit l'évolution des caractéristiques d'un échantillon au cours des différentes phases de son traitement (exposition au plasma, refroidissement, recuit...) ; il nous a permis de simuler la plupart des expériences effectuées sur des semiconducteurs hydrogènes. Dans la partie expérimentale, en utilisant différentes techniques (ftir, sims, c(v)), nous avons étudie l'effet de l'exposition au plasma d'hydrogène et la stabilité thermique de la neutralisation. Des expériences menées sur des diodes schottky hydrogènes nous ont permis d'étudier l'effet d'un champ électrique ou d'un courant sur cette stabilité. application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1997/50376-1997-339.pdf Meziere Sébastien 1900-01-01 119557487 1997LIL10156 1997-01-01 Electronique Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui Constant Eugène 071453474 ddc:530 ASCII PDF 9999