Université Lille1 - Sciences et Technologies Application des contraintes biaxiales à l'amélioration du transport vertical des trous dans les hétérostructures Application of biaxial strain to the enhancement of vertical hole transport in heterostructures 621.381 Effet tunnel Composés semiconducteurs Trous (électronique) Photoluminescence Épitaxie par faisceaux moléculaires Text Electronic Thesis or Dissertation fr Le sommet de la bande de valence des semiconducteurs classiques est compose de deux bandes (trous lourds et trous légers). Le niveau fondamental des puits quantiques est toujours un niveau de trous lourds. Dans les composants comme les diodes a effet tunnel résonnant de type p, leur masse effective élevée est un handicap majeur pour obtenir des résonances exploitables. L'objectif de ce travail est de réaliser des puits ou la situation est inversée (niveau de trous légers fondamental) et de les utiliser pour améliorer les caractéristiques des diodes tunnel de type p en profitant de la faible masse effective des trous légers. Ceci est effectue en déposant par épitaxie par jets moléculaires des couches de semiconducteurs subissant une contrainte interne. Le premier système de matériaux que nous utilisons est alinas / gainas. La situation inversée est confirmée par des techniques de caractérisation spectroscopiques (photoluminescence et photocourant). On ne constate pourtant pas l'amélioration attendue sur les caractéristiques des diodes tunnel. Les principaux inconvénients de ce système sont une hauteur de barrière faible et une bande de valence qui tend a s'enterrer sous l'effet de la contrainte. Nous adoptons donc un autre système de matériaux : alas / gaasp. Ce dernier, peu utilise, présente de nombreux avantages : pas d'effet d'enterrement, et une hauteur de barrière plus favorable. Nous obtenons des écarts trous lourds - trous légers conséquents (jusqu'a 100 mev). En comparant une structure tunnel contrainte et une structure non contrainte de référence, nous mesurons une amélioration significative de la densité de courant au pic et du rapport courant pic / courant vallée. En perfectionnant ce type de structure, nous observons, pour la première fois pour une diode a effet tunnel résonnant de type p, une résistance différentielle négative a température ambiante. Enfin, nous discutons des applications éventuelles de ce type de composant. application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1997/50376-1997-317.pdf Lampin Jean-François 1900-01-01 119595680 1997LIL10147 1997-01-01 Electronique Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui ddc:620 ASCII PDF 9999