• Langue : Français
• Discipline : Sciences des matériaux
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1997

Résumé en langue originale

Pour fabriquer des structures semi-conductrices de plus en plus petites, il est nécessaire d'utiliser des techniques d'analyse qui permettent d'observer ces structures a l'échelle atomique. Inventée au début des années 80, la microscopie a effet tunnel semble la technique la plus appropriée pour répondre a cette exigence. Bien qu'elle appartienne aux techniques d'analyse de surface, elle peut toutefois renseigner sur les propriétés volumiques de certains semi-conducteurs III-V, lorsque ceux-ci sont clives pour exposer une face (110) perpendiculaire a la direction de croissance (001). Etudier des matériaux a la résolution atomique ne s'effectue pas sans avoir pris certaines dispositions a priori. Premièrement, nous revoyons les modèles théoriques qui expliquent la grande résolution du microscope. Nous comparons alors certaines de leurs prédictions a nos résultats expérimentaux obtenus sur une surface clivée GaAs (110). Ces quelques expériences montrent le rôle clé de la pointe pour étudier correctement des surfaces a l'échelle atomique. Nous nous attachons alors a mettre en oeuvre une technique de fabrication reproductible des pointes. Une fois préparées, ces pointes ont un rayon de courbure inférieur a 10 nm et donnent des images stables a la résolution atomique pendant plusieurs heures. Pour connaître les propriétés électroniques des matériaux par microscopie a effet tunnel, nous développons aussi les possibilités spectroscopiques du microscope. Nous présentons des résultats obtenus sur du GaAs dope n, ou la spectroscopie révèle la densité électronique liee aux dopants. Tous ces aspects techniques acquis, nous étudions finalement en microscopie et spectroscopie a effet tunnel, des plans de dopage silicium dans GaAs. Nous caractérisons a l'échelle atomique les dopants et mettons en évidence le rôle amphoterique du silicium.