Titre original :

Amplificateurs cryogéniques faible bruit à base de transistors à hétérostructures de huate mobilité pour applications spatiales

  • Langue : Français
  • Discipline : Electronique
  • Identifiant : Inconnu
  • Type de thèse : Doctorat
  • Date de soutenance : 01-01-1997

Résumé en langue originale

CETTE THESE TRAITE DES AMPLIFICATEURS HYPERFREQUENCES FAIBLE BRUIT DEVELOPPES DANS LE CADRE D'APPLICATIONS SPATIALES. UNE PREMIERE PARTIE EST CONSACREE A L'UTILISATION DE CES AMPLIFICATEURS EN FREQUENCE INTERMEDIAIRE DANS LA CHAINE DE RECEPTION : LA CONCEPTION ET LA REALISATION D'UN AMPLIFICATEUR CRYOGENIQUE FAIBLE BRUIT EN BANDE X (8 - 12 GHZ) EST DETAILLEE. DANS LE CADRE DE CETTE ETUDE, DIFFERENTS TRANSISTORS A HETEROSTRUCTURES DE HAUTE MOBILITE SUR ASGA ONT ETE ENTIEREMENT CARACTERISES : MESURES STATIQUES ET HYPERFREQUENCES. L'OPTION DE L'UTILISATION DE CIRCUITS D'ACCORD DE L'AMPLIFICATEUR EN SUPRACONDUCTEURS A ETE ETUDIEE. CETTE PREMIERE PARTIE A ABOUTI A LA REALISATION D'UN AMPLIFICATEUR CRYOGENIQUE FAIBLE BRUIT PERFORMANT, AYANT LES PERFORMANCES DE L'ETAT DE L'ART. UNE SECONDE PARTIE DE CE TRAVAIL DE THESE A CONSISTE A CARACTERISER DES HEMT SUR INP A TRES HAUTE FREQUENCE (90 - 110 GHZ) EN PARAMETRES DE BRUIT. CES TRANSISTORS SERONT UTILISES DANS UN AMPLIFICATEUR FAIBLE BRUIT A 119 GHZ, EN TETE DE RECEPTION DANS LE CADRE D'UN PROJET SATELLITE. POUR CELA, NOUS AVONS EMPLOYE UN MODELE DE BRUIT EXTRINSEQUE. LE DEVELOPPEMENT DE DIFFERENTS BANCS DE MESURE DE BRUIT A PERMIS D'EXTRAIRE LE MODELE DE BRUIT DE CES COMPOSANTS ET AINSI DE LES CARACTERISER ENTIEREMENT. CES DIFFERENTES ETUDES ONT PERMIS UNE APPROCHE PRATIQUE DES DIFFERENTS ASPECTS LIES AU DEVELOPPEMENT D'AMPLIFICATEURS FAIBLE BRUIT.

  • Directeur(s) de thèse : Lippens, Didier

AUTEUR

  • Boutez, Corinne
Droits d'auteur : Ce document est protégé en vertu du Code de la Propriété Intellectuelle.
Accès libre