• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1996

Résumé en langue originale

EN EVIDENCE SUR DES DIODES SIMPLE BARRIERE AVEC DES PROPRIETES DE SYMETRIE QUI ELIMINENT LES TRANSPOSITIONS DE PUISSANCE SUR LES HARMONIQUES PAIRS. NOUS PRESENTONS DEUX POSSIBILITES D'OPTIMISATION DE CES STRUCTURES. LA PREMIERE SOLUTION CONSISTE A AUGMENTER LE CONTRASTE EN CAPACITE PAR L'INSERTION DE PLANS DE DOPAGES DE PART ET D'AUTRE DE LA SIMPLE BARRIERE. LA SECONDE SOLUTION REPOSE SUR LA MISE EN SERIE EPITAXIALE DE STRUCTURES ELEMENTAIRES DANS LE BUT DE DIMINUER LES CONSTANTES DE TEMPS RC. LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DE CES HETEROSTRUCTURES INTEGREES SUR UNE MEME EPITAXIE A CONDUIT A DES RESULTATS DE PREMIER PLAN EN TERMES DE VARIATIONS CAPACITE-TENSION (CMAX = 1 FF/M#2, CMAX/CMIN = 5:1) ET DE TENSION DE SEUIL A LA CONDUCTION (DE L'ORDRE DE 12 V). LA FREQUENCE DE COUPURE MAXIMALE EST ESTIMEE A 12 THZ. POUR LA FABRICATION DE CES DEUX TYPES DE COMPOSANTS, NOUS AVONS DEVELOPPE DES PROCEDES D'INTEGRATION MONOLITHIQUE PLANAIRE BASES SUR DES TECHNIQUES DE GRAVURE ANISOTROPE DE MATERIAU X III-V ET DE CONNEXION PAR PONT A AIR. CES ETUDES TECHNOLOGIQUES QUI CONSTITUENT UNE PREMIERE OUVERTURE VERS LA CONCEPTION D'UN SYSTEME COMPLET ONT CONDUIT NOTAMMENT AU DEVELOPPEMENT DE LIGNES DE PROPAGATION MONOMODE FAIBLES PERTES SUR MEMBRANES DIELECTRIQUES CE TRAVAIL DE THESE EST CONSACRE A L'ETUDE DE COMPOSANTS SEMICONDUCTEURS A HETEROSTRUCTURES POUR LA GENERATION, DIRECTE OU PAR MULTIPLICATION DE FREQUENCE, D'UN SIGNAL AUX FREQUENCES PROCHES DU TERAHERTZ. POUR LA GENERATION DIRECTE, NOUS NOUS INTERESSONS AUX DIODES A EFFET TUNNEL RESONNANT, QUI PRESENTENT UN EFFET DE RESISTANCE DIFFERENTIELLE NEGATIVE (RDN), EN CONCEVANT DES HETEROSTRUCTURES A PARTIR DE COUCHES PSEUDOMORPHIQUES EPITAXIEES SUR SUBSTRATS GAAS ET INP. PLUSIEURS SERIES DE COMPOSANTS, FABRIQUES PUIS CARACTERISES, ONT CONFIRME LES POTENTIALITES DE CES STRUCTURES QUANTIQUES AVEC DES RESULTATS EN REGIME STATIQUE A L'ETAT DE L'ART (DENSITES DE COURANT SUPERIEURES A 150 KA/CM#2, CONTRASTES EN COURANT ENTRE LES ETATS PASSANT ET NON PASSANT DE L'ORDRE DE 6:1). EN REGIME DYNAMIQUE, NOUS AVONS PU OBSERVER DES COEFFICIENTS DE REFLEXION SUPERIEURS A 1 EN SE POLARISANT EN ZONE DE RDN. POUR LA MULTIPLICATION DE FREQUENCE, NOUS UTILISONS LA NON LINEARITE CAPACITIVE QUI PEUT ETRE MISE-