• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1996

Résumé en langue originale

DANS CE MEMOIRE NOUS PRESENTONS UNE ETUDE THEORIQUE PAR LA METHODE DE MONTE-CARLO DU TRANSPORT ELECTRONIQUE ET DES COEFFICIENTS DE DIFFUSION DANS LES HETEROSTRUCTURES III-V. CE MEMOIRE SE DIVISE EN QUATRE PARTIES. DANS LE PREMIER CHAPITRE NOUS PRESENTONS LE MODELE DE SIMULATION QUE NOUS AVONS DEVELOPPE POUR ETUDIER LE TRANSPORT ELECTRONIQUE. DANS CE MODELE NOUS AVONS INTRODUIT LES EFFETS PHYSIQUES FONDAMENTAUX TELS QUE LA NON-PARABOLICITE, LA QUANTIFICATION DES VALLEES (, L, X), LE PRINCIPE DE PAULI, ET TOUTES LES INTERACTIONS IMPORTANTES. DANS LE DEUXIEME CHAPITRE, NOUS UTILISONS CE MODELE POUR CALCULER LES COEFFICIENTS DE DIFFUSION DANS DEUX HETEROSTRUCTURES MODFETS (MODULATION DOPED FIELD EFFECT TRANSISTORS): L'UNE EN ALGAAS/INGAAS ET L'AUTRE EN ALINAS/INGAAS. APRES AVOIR RAPPELE LES METHODES DE CALCULS DANS LES GAZ NON DEGENERES. NOUS DISCUTONS ET COMPARONS L'EVOLUTION DES COEFFICIENTS DE DIFFUSION POUR LES DEUX HETEROSTRUCTURES. NOUS MONTRONS L'INFLUENCE DES DIFFERENTES INTERACTIONS SUR LEUR EVOLUTION. DANS LE TROISIEME CHAPITRE NOUS ETUDIONS LE TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LE DMT (DOPED CHANNEL MIS-LIKE-FET) EN ALGAAS/GAAS. NOUS EXAMINONS L'IMPACT DES DIFFERENTS PARAMETRES (LE PROFIL DE DOPAGE, LA DENSITE ELECTRONIQUE ET LA TEMPERATURE) SUR LES PROPRIETES DU TRANSPORT. NOUS ETUDIONS LE COMPORTEMENT DE CES STRUCTURES EN REGIME STATIONNAIRE ET TRANSITOIRE. NOUS TERMINONS CE CHAPITRE PAR UNE COMPARAISON AVEC DES RESULTATS EXPERIMENTAUX. LE QUATRIEME CHAPITRE, EST CONSACRE A L'ETUDE DE LA DIFFUSION DANS LES GAZ DEGENERES. APRES AVOIR MONTRE LA LIMITE DE VALIDITE DES DEFINITIONS CONVENTIONNELLES. NOUS PROPOSONS UNE METHODE APPLICABLE QUELQUE SOIT LE DEGRE DE DEGENERESCENCE. NOUS MONTRONS QU'ELLE PEUT AISEMENT ETRE INTRODUITE DANS UN MODELE MONTE-CARLO. NOUS PRESENTONS ENFIN DES RESULTATS CONCERNANT UN DMT TYPIQUE