• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1996

Résumé en langue originale

EN RAISON DE L'UTILISATION COURANTE D'ARCHITECTURES PARTICULIEREMENT SENSIBLES AUX PHENOMENES DE PARTAGE DE CHARGES, L'APPROCHE QUASI-STATIQUE TRADITIONNELLE DE MODELISATION NE SUFFIT PLUS CAR ELLE CONDUIT A DES ERREURS NON-NEGLIGEABLES EN SIMULATION DE CIRCUITS. QUAND LA COMPLEXITE DU CIRCUIT ETUDIE EST TRES FAIBLE, UNE SIMULATION MIXTE DES DISPOSITIFS ET DE LEUR ENVIRONNEMENT PEUT ETRE ENTREPRISE. CE TYPE DE SIMULATION PREND INTRINSEQUEMENT EN COMPTE LES PHENOMENES NON-QUASI-STATIQUES. POUR CETTE RAISON, LA PREMIERE PARTIE DE CETTE THESE PRESENTE LE DEVELOPPEMENT D'UN SIMULATEUR MIXTE 2D DE DISPOSITIFS ET SON APPLICATION A PLUSIEURS EXEMPLES ALLANT D'UN INVERSEUR LOGIQUE SIMPLE, AUX PHENOMENES COMPLEXES D'INJECTION DE CHARGES DANS LES INTERRUPTEURS ANALOGIQUES. DANS UNE SECONDE PARTIE, TROIS NOUVEAUX MODELES COMPACTS DE DISPOSITIFS, PRENANT EN COMPTE LES EFFETS NON-QUASI-STATIQUES, SONT PROPOSES. LE PREMIER MODELE, CONCERNANT UN TRANSISTOR BIPOLAIRE, EST BASE SUR UNE RESOLUTION ANALYTIQUE DES EQUATIONS DE TRANSPORT DANS LA REGION QUASI-NEUTRE DE BASE. IL EST MONTRE, PAR RAPPORT AUX MODELES EXISTANTS, QUE LES RESULTATS PETITS ET GRANDS SIGNAUX SONT EFFECTIVEMENT AMELIORES. DEUX AUTRES MODELES DE TRANSISTORS MOS SUR SUBSTRAT MASSIF OU SUR FILM ISOLANT (SOI) SONT BASES SUR UNE RESOLUTION NUMERIQUE PSEUDO-BIDIMENSIONNELLE DE L'EQUATION DE POISSON ET DES EQUATIONS DE TRANSPORT. COMPARES A QUELQUES SIMULATIONS 2D DE DISPOSITIF ET A UN MODELE QUASI-STATIQUE, CES MODELES SE REVELENT ETRE PARTICULIEREMENT PRECIS ET RAPIDES. FINALEMENT, LEUR APPLICATION A LA SIMULATION DE CIRCUITS SENSIBLES AUX EFFETS NON-QUASI-STATIQUES, COMME LES MEMOIRES DE COURANT, MONTRE LEURS AVANTAGES PAR RAPPORT AUX MODELES QUASI-STATIQUES