Université Lille1 - Sciences et Technologies Modélisation bidimensionnelle de l'oxydation du silicium : analyse viscoélastique de la relaxation des contraintes Two dimensionnal modeling of the silicon oxidation 546.683 Rhéologie Isolation électrique Silicium Oxydation Cristaux Défauts Text Electronic Thesis or Dissertation fr es d'oxyde pour un grand nombre de configurations topologiques. Deux approches sont proposées : la première calcule avec exactitude les profils d'isolation pour des structures où le matériau oxyde peut-être considéré comme indéformable (locos, silo, swami). La seconde, plus générale et plus physique, s'applique à tout type d'isolation et fournit une carte complète des contraintes mécaniques dans l'ensemble de la structure. Les effets des contraintes sur la cinétique d'oxydation sont modélisés. Les comportements rhéologiques des matériaux ont été généralisés pour une large gamme de procédés technologiques et leur nature intrinsèquement viscoélastique est prise en compte. Les algorithmes qui ont été mis au point constituent une première étape vers le calcul mécanique systématique permettant aux simulateurs de technologie de prédire l'évolution spatiale et temporelle des champs de contraintes au même titre que celle des dopages. Finalement, les capacit´ es de prédiction du modèle sont illustrées par différentes applications : l'optimisation du locos enterre d'une technologie bicmos 0.8 m, l'analyse des dispositifs avances que sont les structures pbl et silo. Enfin, la simulation des caractéristiques électriques d'un transistor MOS parasité à l'aide du simulateur de dispositif impact-3 constitue une ultime validation. La miniaturisation des circuits intégrés permet d'améliorer leurs performances (rapidité/faible consommation), d'augmenter leur intégration et de réduire leurs coûts. Dans cette perspective, l'amélioration des techniques d'isolation est indispensable. Un état de l'art actuel fait apparaître que la croissance thermique d'un oxyde de silicium est le procédé d'isolation le plus largement employé. Sa conception doit minimiser la surface occupée sans générer de défauts cristallins dans le substrat. La simulation de technologie permet de déterminer, rapidement et à moindre coût, le meilleur compromis. Le travail présente dans ce manuscrit contribue à améliorer l'exactitude de cet outil numérique d'aide à la conception. Plus précisément, une modélisation avancée du phénomène d'oxydation thermique du silicium a été développée et implantée dans le simulateur de technologie impact-4. La souplesse de la méthode des éléments finis permet le calcul des form application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1995/50376-1995-33.pdf Senez Vincent 1900-01-01 059869720 1995LIL10024 1995-01-01 Électronique Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui ddc:540 ASCII PDF 9999