• Langue : Français
• Discipline : Électronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1995

Résumé en langue originale

L'objectif de la thèse est de réaliser une cellule de mesure permettant la caractérisation d'éléments actifs (transistors, circuits intégrés) ou passifs dans la bande de fréquences 50-75 Ghz (bande V). Nous avons dans un premier temps, conçu et réalisé une transition entre la structure guide rectangulaire des instruments de mesure utilisés dans cette gamme de fréquences et la structure microruban permettant de connecter le composants sous test. Les performances de cette transition sont 1db en insertion et -20db en facteur de réflexion. Dans un second temps, nous avons conçu et réalisé un réseau permettant à la fois la polarisation du composant sous test et son adaptation sous la fréquence de coupure du guide. Les caractéristiques hyperfréquences d'une demi-cellule et son réseau d'adaptation sont : 2 db en insertion et -15db comme facteur de réflexion. Grâce à ces caractéristiques, cette cellule de mesure devient un outil de caractérisation complémentaire aux sondes hyperfréquences. Avec cette cellule, nous avons effectué des caractérisations aussi diverses que la mesure de facteur de bruit et de gain d'amplificateur intégrés autour de 60 Ghz, ainsi que des mesures de gain de conversion et de facteur de bruit de mélangeurs.