• Langue : Français
• Discipline : Électronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1995

Résumé en langue originale

e de coupure de 92 GHz. Ce procédé a été ensuite transposé aux transistors à hétérostructures. Un HIGFET hydrogéné a été réalisé et ses performances sont tout à fait encourageantes. optimiser ces procédés, des études fondamentales sur la neutralisation ont été entreprises sur des couches peu épaisses et sur la mise au point des différentes techniques de déneutralisation. Procédant par étapes, plusieurs transistors ont ensuite été réalisés pour aboutir a la structure idéale préalablement définie. Le premier transistor réalisé, ayant une largeur de grille de 1 micron, présente une transconductance de 600 mS.mm-1 et une fréquence de coupure de 18,4 GHz. Puis, en optimisant la technologie, nous avons réalisé des transistors à grille submicronique d'une largeur de 0,2 micron, à résistances d'accès dissymétriques, par la réactivation localisée en exposant aux U.V.. Les performances de ces transistors sont : une transconductance de 700 mS.mm-1 et une fréquence de coupure de 70 GHz. Ensuite, nous avons réalisé des transistors à grille nanométrique (<0,1 micron) ayant comme performances une transconductance de 231 mS.mm-1 et une fréquenc L'exposition d'un matériau semiconducteur GaAs dopé silicium de type n à un plasma radiofréquence d'hydrogène entraîne une diffusion de l'hydrogène dans le matériau provoquant ainsi une forte diminution de la concentration en porteurs libres accompagnée d'une augmentation de leur mobilité. Cette augmentation est le signe d'une neutralisation des donneurs actifs par transformation en entités neutres : hydrogène-donneur. Ce phénomène est d'autant plus intéressant qu'il est réversible. En effet, la déneutralisation des zones hydrogénées peut se faire soit par recuit thermique soit par une exposition aux ultraviolets ou à un faisceau d'électrons. Ces phénomènes utilisés de façon localisée dans une épitaxie très mince fortement dopée permettent de réaliser des transistors à résistances d'accès dissymétriques, caractérisés par une concentration en impuretés plus élevée près de la grille du côté source et plus faible du côté drain. Dans le but d'