• Langue : Français
• Discipline : Électronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1995

Résumé en langue originale

auffement lié au courant moyen de drain, nous proposons un nouveau modèle non-linéaire ayant comme spécificités : un générateur Ids défini par intégration en fonction de Vgs de la transconductance hyperfréquence, mesurée en de nombreux points de polarisation des capacités Cgs et Cgd modélisées en fonction des tensions Vgs et Vds par l'artifice d'une charge électrique additionnelle dans le schéma intrinsèque du composant. Une tentative de validation de notre modèle est effectuée par comparaison entre les résultats des simulations obtenus avec le logiciel MDS et les mesures réalisées sur un banc de puissance à charge active. Une comparaison systématique est effectuée avec les modèles usuels basés sur la détermination impulsionnelle du générateur Ids. De cette étude, il résulte que pour parfaire la simulation du fonctionnement classe B, l'effet de température lié à l'évolution du courant moyen de drain avec le niveau de puissance devra être pris en com pte de manière beaucoup plus rigoureuse dans la modélisation des transistors. L'étude que nous présentons à pour objet l'élaboration d'un modèle non-linéaire représentatif des HEMTs pseudomorphiques qui permette leurs simulations en amplification de puissance classe B dans les bandes Ku et Ka. Le caractère très spécifique de ces composants et la particularité des conditions de fonctionnement nous ont amené à tenter d'améliorer la définition des modèles et leur formulation électrique. Sur le plan de la caractérisation hyperfréquence des composants, les capacités parasites des plots sont déterminées par une nouvelle méthode dite : des trois configurations . Les éléments du schéma équivalent sont extraits des paramètres S mesurés directement en fonction des tensions internes du composant et dans des bandes de fréquences spécialement optimisées pour accroître la précision. Sur le plan de la construction du modèle, pour décrire plus précisément le fonctionnement classe B et prendre en compte d'une manière approchée l'éch