• Langue : Français
• Discipline : Sciences appliquées
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1994

Résumé en langue originale

L'objectif de ce travail a ete la conception en vue d'une integration en monolithique dans la gamme millimetrique au voisinage de 60 ghz des fonctions non lineaires interessantes dans la realisation d'un systeme d'emission-reception. Compte tenu du domaine de frequence retenu pour l'integration de ces fonctions non lineaires a savoir: oscillateur local, amplificateur moyenne puissance faible bruit et melangeur, nous avons utilise des transistors a haute mobilite electronique (hemts) de longueur de grille 0.25 m. La conception des circuits fonctionnant en regime grand signal necessite une bonne description du comportement non lineaire des elements actifs utilises pour la conception de ces circuits. Actuellement, il y a une importante demande des modeles pour les hemts capable de bien modeliser le pic de la transconductance gm rencontre dans tous les hemts. Ainsi nous avons ete amenes a developper un nouveau modele non lineaire capable de bien modeliser a la fois la transconductance gm(vgs, vds) et le courant ids(vgs, vds). D'autres fonctions permettant de decrire correctement les capacites cgs(vgs, vds) et cgd(vgs, vds) ont ete egalement proposees. Ce modele a ete implante dans le logiciel de simulation mds-hp.