Titre original :

Simulation à temps discret de circuits à mémoire de courant et application à l'étude de modulateurs sigma-delta

  • Langue : Français
  • Discipline : Electronique
  • Identifiant : Inconnu
  • Type de thèse : Doctorat
  • Date de soutenance : 01/01/1994

Résumé en langue originale

Le principal attrait de la technique des courants commutes est sa totale compatibilite avec les technologies cmos numeriques. Elle est donc particulierement tres adaptee a la realisation d'interfaces analogiques pour les circuits mixtes a dominante numerique. L'element de base de cette technique est la memoire de courant. Elle permet de realiser des fonctions de sommation, de retard et d'inversion des signaux, en utilisant un seul transistor nmos comme source de memorisation. En outre, son fonctionnement ne requiert aucun appariement entre composants. A l'aide de memoires de courant, nous avons construit des architectures de circuits comme l'integrateur, le multiplieur, le diviseur et le modulateur sigma-delta d'ordre 1 et 2. Un des problemes majeurs dans la conception de tels circuits reside dans l'absence d'outils cao adaptes. Nous avons donc developpe un simulateur specifique de circuits a memoire de courant. Il exploite le fonctionnement a temps discret de ces circuits. Un modele de la memoire de courant, incluant l'injection de charge des transistors utilises interrupteurs, la non linearite ainsi que le bruit thermique des transistors mos, a ete developpe. Afin de valider notre approche, nous avons simule, concu et realise un modulateur sigma-delta d'ordre 2, avec une technologie cmos 1.2 microns. Les resultats de test du modulateur experimental sont en accord avec ceux prevus par la simulation.

  • Directeur(s) de thèse : Decarpigny, Jean-Noël

AUTEUR

  • N'Goran, Philippe
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