• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1994

Résumé en langue originale

Dans le cadre de ce travail, un modele general a ete developpe pour la piezoresistivite dans le volume du silicium et dans un systeme bidimensionnel tel que le canal des transistors mos en regime d'inversion. A partir du modele de potentiel de deformation de bir et pikus, les coefficients de piezoresistivite tridimensionnelle (3d) et bidimensionnelle (2d) du silicium ont ete calcules sous forme analytique pour les electrons et les trous. En ce qui concerne la piezoresistivite bidimensionnelle, l'effet de quantification est pris en compte dans l'approximation du potentiel de puits triangulaire avec un facteur d'ajustement. Un modele mixte de piezoresistivite 2d/3d a ete introduit dans le simulateur de dispositifs impact 3.3. L'influence du champ electrique parallele au canal a egalement ete prise en compte dans le modele de piezoresistivite. Ce modele permet de simuler les comportements electriques des transistors mos sous contraintes mecaniques. Il a ete demontre que la variation de la largeur de bande interdite joue un role important en regime de faible inversion. La validation de ce travail a ete realisee par de nombreuses confrontations entre les resultats de simulations et les mesures.