Université Lille1 - Sciences et Technologies Contribution à l'étude de dispositifs NMOS submicroniques par les méthodes de Monte-Carlo et de dérivés-diffusion 510 MOS (électronique) Monte-Carlo, Méthode de Text Electronic Thesis or Dissertation fr Les progres les plus recents en matiere d'integration de composants mos ont permis d'atteindre le cap de 0.1 micron de longueur de canal, notamment grace a l'evolution de la lithographie haute resolution. Le comportement des transistors mos est alors fortement influence par le profil de champ electrique, a l'origine des effets de transport balistique et des effets canaux courts. A ce titre, l'optimisation de tels composants requiert une comprehension detaillee de la physique du transport electronique faisant appel a des outils de simulation performants. La premiere partie de cette these porte sur l'elaboration d'un simulateur de dispositifs nmos par la methode de monte carlo. Cette technique a ete completee par la mise au point d'un couplage avec la resolution d'equations etendues de derive-diffusion. Cette approche permet une convergence rapide des simulations et la prise en compte de phenomenes intervenant a des echelles de temps differentes. La methode de couplage a ete appliquee a la simulation de dispositifs fortement submicroniques, montrant que le phenomene de survitesse peut etre mis a profit pour ameliorer certaines caracteristiques electriques, notamment augmenter la transconductance. La reduction conjointe des dimensions des transistors et de leur tension d'alimentation a permis de mettre en evidence une reduction significative de l'energie maximale atteinte par les electrons qui attenue les phenomenes de degradation lies a l'injection dans l'oxyde de grille. Enfin, une architecture originale de transistor mos a grille enterree a egalement ete etudiee. Comparativement aux dispositifs plans conventionnels, ce type de structure presente un excellent controle des effets canaux courts. D'autre part, il a ete demontre que de bonnes performances en courant peuvent etre preservees grace a un niveau de dopage du substrat largement inferieur a celui d'un transistor plan. application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1994/50376-1994-291.pdf Bricout Paul-Henri 1900-01-01 120781808 1994LIL10149 1994-01-01 Electronique Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui Decarpigny Jean-Noël 115583750 ddc:510 ASCII PDF 9999