• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1994

Résumé en langue originale

Ce travail est consacré à la modélisation des photodétecteurs métal-semiconducteur-métal (msm) AlInAs/GaInAs et GaAs adaptés à la détection aux grandes et courtes longueurs d'onde respectivement, pour l'étude de la réponse fréquentielle en régime de petits signaux, et l'étude de la réponse électrique non-linéaire en régime de grands signaux. Nous rappelons tout d'abord quelques généralités sur la photodétection et sur le choix des matériaux utilisés pour la réalisation des photodiodes en général et des msm en particulier. Ensuite, nous présentons un modèle physique bidimensionnel fondé sur l'équation de poisson, les équations de continuité, et les équations de courant. Ce modèle introduit le caractère bidimensionnel que présente le msm. Pour valider notre étude, ces résultats théoriques sont confrontés à un certain nombre de résultats expérimentaux obtenus sur des msm fabriqués au laboratoire sur AlInAs/GaInAs. Une fois le modèle validé, il est appliqué à l'étude du comportement dynamique de la photodiode msm en fonction des paramètres de structure et des caractéristiques du matériau choisi. Deux types de filieres seront envisagées : GaAs et InP, correspondant à des transmissions optiques aux longueurs d'onde 0.8 m et 1.3 m ou 1.55 m. Nous étudions trois types différents d'éclairement, éclairement par dessus, éclairement par dessous, et éclairement par guide optique. Le modèle a ensuite servi à l'étude de la réponse électrique non-linéaire de la photodiode msm en régime de grands signaux et l'influence de la tension de polarisation sur cette réponse. Enfin, nous présentons une comparaison entre la réponse électrique non-linéaire des photodiodes pin et msm.