• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1993

Résumé en langue originale

Les besoins de la logique rapide ont nécessité l'utilisation de nouveaux composants tels que les transistors à effet de champ à grille isolée du type MISFET et SISFET GaAs/AlGaAs. L'effet de capacite SIS GaAs/AlGaAs/GaAs est l'élément de base dans ces transistors. Pour estimer plus précisément les performances que l'on peut attendre de ces dispositifs, et optimiser leur fonctionnement, une étude plus poussée des structures SIS semble nécessaire. Pour décrire rigoureusement les phénomènes de transport dans les capacités SIS, nous avons choisi un modèle de type Monte-Carlo. Le modèle électronique utilisé est basé sur une représentation classique de la dynamique électronique en trois dimensions. Nous nous sommes intéressés plus particulièrement aux caractéristiques statiques et aux phénomènes de bruit de diffusion. Dans la première partie, nous exposons le modèle utilisé et la méthode de simulation. Nous présentons la dynamique électronique en précisant les hypothèses que comporte le modèle. La deuxième partie est consacrée aux résultats de la simulation statique de la capacité SIS. Nous décrivons son fonctionnement à travers les grandeurs physiques obtenues. Pour valider notre modèle, nous avons comparé nos résultats avec ceux de l'expérience. Les capacités SIS ayant servi dans les expérimentations ont été entièrement réalisées à l'IEMN-DHS. Les comparaisons expérience-théorie sont satisfaisantes. En dernière partie, l'étude de bruit de diffusion a été faite par référence avec celle de la diode GaAs N+nn+. Nous proposons aussi une manière de déterminer le spectre de bruit en basse fréquence avec une méthode basée sur l'analogie avec la méthode de détermination du coefficient de diffusion par étalement de paquet. Appliquée au calcul du spectre de bruit de la diode GaAs N+nn+, elle donne de bons résultats.