• Langue : Français
• Discipline : Sciences physiques
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1993

Résumé en langue originale

L'objectif de ce travail est d'apporter une contribution à l'étude des mécanismes de création des défauts dans les structures MOS (métal oxyde semiconducteur). Nous avons analysé la génération des défauts à l'interface silicium-oxyde de silicium (si-sio2) et dans les oxydes de grille (sio2) épais (>30 nm) et minces (<30 nm) par injection d'électrons en régime tunnel fowler-nordheim à différentes températures et pour différents champs à travers l'oxyde. Dans le cas d'un oxyde épais, le rôle de la diffusion d'une espèce relative à l'hydrogène, comme mécanisme précurseur de la création de défauts à l'interface si-sio2 a été clairement mis en évidence. Par contre, l'origine de la génération des charges positives dans l'oxyde est due à l'ionisation par impact. Nous avons montré que la génération de cette charge positive est indépendante de la température de contrainte. Ceci permet de différencier les deux principaux mécanismes de dégradation. Dans le cas d'un oxyde mince, la génération des deux types de défauts est indépendante de la température. Nous n'avons pas observé de corrélation entre la création de défauts à l'interface et le claquage de l'oxyde. Les phénomènes de relaxation des états d'interface après contraintes ont été étudiés.