Titre original :

Simulation microscopique et technologie de réalisation du transistor à effet de champ à base de GaAs

  • Langue : Français
  • Discipline : Electronique
  • Identifiant : Inconnu
  • Type de thèse : Doctorat
  • Date de soutenance : 01/01/1993
  • Directeur(s) de thèse : Constant, Monique

AUTEUR

  • Valin, Isabelle
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