Université Lille1 - Sciences et Technologies Caractérisation par spectrométrie Raman de matériaux III-V : applications à l étude de structures contraintes GaInAs-GaAs et de HEMT AlInAs-GaInAs/InP Raman spectrometry characterization of iii-v materials 537.622 Transistors à effet de champ Spectroscopie Raman Épitaxie Composés semiconducteurs Semiconducteurs Dopage Text Electronic Thesis or Dissertation fr Ce travail présente une étude expérimentale de caractérisations par spectrométrie Raman d'hétérostructures contraintes gainas/gaas et de transistors à effet de champ alinas/gainas adaptés en maille sur inp. Dans un premier chapitre, nous rappelons les éléments théoriques adaptés à l'étude par spectrométrie Raman des semiconducteurs iii-v de structure zinc-blende non intentionnellement dopés et dopés de type n. Le deuxième chapitre est consacré à l'étude et à l'interprétation des spectres Raman des matériaux gainas et alinas. Le signal Raman de gainas est étudié sur une grande gamme de composition. La dernière partie est consacrée aux effets du dopage de type n sur la réponse Raman des deux matériaux ternaires. Les résultats obtenus dans ce chapitre servent de références lors de l'analyse des hétérostructures. Le troisième chapitre concerne l'analyse quantitative des contraintes dans des superréseaux gaas/gainas par spectrométrie Raman et double diffraction x. Enfin, le quatrième chapitre est consacré à l'analyse Raman de couches de hemt alinas/gainas/inp adaptés en maille ou pseudomorphiques. Ensuite, nous présentons les résultats Raman obtenus sur un transistor en fonctionnement application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1993/50376-1993-242.pdf Matrullo Nathalie 1900-01-01 127631666 1993LIL10122 1993-01-01 Électronique Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui Fauquembergue Renaud 070392269 Constant Monique 091455251 ddc:530 ASCII PDF 9999