Titre original :

Étude des propriétés physiques et des performances potentielles à hautes températures ds transistors à effet de champ (TEC) à grille submicronique

  • Langue : Français
  • Discipline : Electronique
  • Identifiant : Inconnu
  • Type de thèse : Doctorat
  • Date de soutenance : 01/01/1992

Résumé en langue originale

L'objectif essentiel du travail effectué consistait en une étude comparative des évolutions en température des propriétés, des caractéristiques et des performances des TEC en régime petit signal. En effet, une forte dégradation de leurs caractéristiques était à craindre lors d'un échauffement du composant. L'approche a surtout été expérimentale bien qu'une étude théorique a été effectuée. L'approche expérimentale a résidé dans l'extension méthodologique de mesure au domaine des températures élevées et à la conception de composantes typiques. Il apparaît que certaines caractéristiques physiques et électriques ainsi que certaines performances présentaient des dégradations importantes à hautes températures qui pouvaient avoir des conséquences significatives lors de l'utilisation du composant. Toutefois, dans l'ensemble, l'ampleur des effets n'était pas véritablement plus importante pour les TEGFET que pour les MESFET. L'approche théorique a permis de mieux comprendre les mécanismes physiques mis en jeu et d'apprécier leurs conséquences sur les évolutions des caractéristiques et performances des TEC. Elle nous a donné l'occasion de mieux appréhender la physique des matériaux III-V ce qui permit de mieux concevoir la perspective de l'utilisation à hautes températures de certaines structures

AUTEUR

  • Gobert, Yannick
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