Université Lille1 - Sciences et Technologies Caractérisations électriques d'hétérostructures de semi-conducteurs Electrical characterizations of semiconductors heterostructures 537.622 Potentiel, Théorie du Semiconducteurs Puits quantiques Hétérostructures Text Electronic Thesis or Dissertation fr L'objectif de ce travail est de démontrer que l'utilisation de techniques de caractérisation électrique permet de déterminer, avec une bonne précision, la discontinuité de bande d'une hétérojonction. En premier lieu, une étude détaillée de la technique c(v) permet de sélectionner les hétérostructures les mieux adaptées à la détermination de la discontinuité de bande par cette technique. Pour ces dernières, une méthode systématique est présentée, permettant une mesure précise de ce paramètre. D'autre part, l'interprétation de la spectroscopie d'admittance sur un multipuits quantique est améliorée et la précision de cette technique en est notablement augmentée. Enfin, un modèle original du comportement d'un puits quantique en d.l.t.s. est élaboré. Celui-ci démontre la pertinence de cette technique d'une part pour mettre en évidence les phénomènes de conduction dans une hétérostructure (effets thermo-ionique et tunnel) et, d'autre part, pour mesurer la discontinuité de bande. L'application de ces trois techniques aux systèmes GaAs/GaAlAs et GaAs/GaInAs permet la mesure de leur discontinuité de bande respective application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1992/50376-1992-161.pdf Letartre Xavier 1900-01-01 130140945 1992LIL10083 1992-01-01 Sciences des matériaux Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui ddc:530 ASCII PDF 9999