• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1992

Résumé en langue originale

Ce travail concerne la modélisation de composants à Effet de Champ en régime linéaire, intégrée à un logiciel convivial nommé HELENA, pour Hemt ELEctrical properties and Noise Analysis . HELENA est un logiciel facile d'emploi, qui permet d'obtenir : la loi de commande de charges de la structure des couches sous la grille (caractéristique C-V), les caractéristiques statiques du transistor, le schéma équivalent intrinsèque petit signal, les performances de bruit du transistor extrinsèque, les paramètres S et les différents gains. La modélisation est basée sur l'approche quasi-bidimensionnelle, qui est améliorée de façon significative: 1) Nous tenons compte de la loi de commande de charges exacte de la structure pour l'analyse du composant. 2) Les paramètres du schéma équivalent petit signal sont déterminés par la méthode de la ligne active. 3) Les performances de bruit du transistor sont calculées en utilisant le formalisme des matrices de corrélation, couplé à la méthode de la ligne active. 4) Le découplage total entre l'analyse de la loi de commande de charges et l'analyse des performances du transistor permet de traiter divers types de composants HEMT et MESFET. Les différents résultats sont obtenus avec des temps de calcul réduits, et son en bon accord avec l'expérience, dans une large gamme de fréquences. Le logiciel HELENA constitue ainsi un outil très intéressant pour l'optimisation de composants discrets et des circuits micro-ondes. Une commercialisation de ce logiciel est prévue, et des contacts sont pris dans ce sens