• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1992

Résumé en langue originale

Ce travail est axé sur la modélisation, sur la technologie et la caractérisation électrique d'hétérostructures à effet tunnel résonnant dans des configurations dipôle et tripôle. L'objectif est de réaliser des composants performants dans un environnement où les éléments parasites sont suffisamment faibles pour exploiter les potentialités fréquentielles associées à l'effet tunnel résonnant. Dans ce but, nous présentons tout d'abord des résultats de simulations autocohérentes de probabilités de transmission et de caractéristiques de conduction. Cette analyse, qui tient compte de la structure dans son entier, nous permet de dégager des éléments d'optimisation ainsi que de proposer de nouvelles structures à base de matériaux contraints GaInAs/GaAs. Dans un second temps, nous décrivons une technique d'intégration de type planaire pour composants épitaxiés sur substrat semi-isolant. Ces réalisations technologiques sont suivies d'une phase de caractérisation en régime dynamique jusqu'à des fréquences de 40 GHz en résistance différentielle négative. Le schéma équivalent est établi et permet de chiffrer des fréquences de coupure de la partie réelle de l'impédance jusqu'à 200 GHz. La dernière partie plus exploratoire, traite de l'extension de l'effet tunnel résonnant vers des structures tripôles et des structures mettant en jeu des trous. Un transistor à effet tunnel résonnant commandé par réaction de charge d'espace est élaboré. Les résultats expérimentaux et théoriques montrent les limitations des performances liées aux aspects technologiques et aux phénomènes de relaxations intersousbande qui se révèlent cruciaux. Enfin, nous montrons des premiers résultats concernant l'effet tunnel résonnant de trous dans le système de matériaux GaInP/GaAs