• Langue : Français
• Discipline : Sciences des matériaux
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1991

Résumé en langue originale

Nous avons étudié sous ultra-vide, par des techniques d'analyse in-situ (aes, els, del, seelfs) et ex-situ (sem, résistivité électrique, effet Hall) la formation et la croissance des siliciures de fer obtenus par recuit de films minces de fer déposés sur si(111). En particulier, nous avons appliqué la spectroscopie seelfs au seuil l23 du fer pour caractériser l'environnement atomique local dans cette étude. Lors de recuits de films de 20 à 100 angströms d'épaisseur, les phases intermédiaires fe3si et fesi se forment pour des températures inférieures à 400 degrés tandis qu'à partir de 450 degrés, nous avons déterminé la formation de la phase semiconductrice fesi2 bêta. Ainsi, nous avons pu obtenir des films d'environ 200 angströms de fesi2 bêta épitaxie dont le caractère semiconducteur a été confirmé par des mesures électriques. Pour améliorer la qualité d'épitaxie, nous avons ensuite tenté de réaliser la croissance à partir d'une couche tampon. Lors de la formation de l'interface à température ambiante, le composé interfacial, de type fesi, ne pouvant servir de couche tampon, nous avons donc réalisé des recuits sur des films ultra-minces inférieurs à 10 angströms. Dans ce cas, une nouvelle phase métastable fesi2 gamma semble coexister avec la phase fesi contrainte. D'autres méthodes d'élaboration sont donc à explorer pour améliorer la qualité d'épitaxie de fesi2 bêta.