Université Lille1 - Sciences et Technologies Simulation Monte-Carlo bidimensionnelle et étude expérimentale de transistors à effet de champ à hétérojonctions AlInAs/GaInAs/InP adaptés en maille sur InP Two-dimensional Monte Carlo simulation and experimental study of heterojunctions field effect transistors InAlAs/InGaAs lattice matched to InP 621.381 528 4 Transistors à effet de champ Monte-Carlo, Méthode de Text Electronic Thesis or Dissertation fr Ce travail présente une étude théorique et expérimentale des transistors à effet de champ à hétérojonctions AlInAs/GaInAs adaptés en maille sur InP. L'analyse théorique est basée sur une simulation de type Monte-Carlo, qui permet de contribuer à une meilleure compréhension des mécanismes de fonctionnement de ces composants, et de prédire leurs performances. Ces résultats sont comparés aux résultats expérimentaux obtenus sur des transistors réalisés au LEP (Laboratoire d'Electronique Philips). Ce travail se décompose en cinq parties essentielles. Dans le premier chapitre, après avoir rappelé le principe de fonctionnement du TEGFET, nous présentons les éléments nécessaires à la mise en œuvre de la méthode de simulation, en explicitant des approximations qu'elle comporte. Le second chapitre est consacré à la détermination des propriétés de transport et des coefficients de diffusion des matériaux AliNaS et GaInAs, ainsi qu'à l'étude des potentialités de l'hétérojonction associée. Une étude théorique exhaustive des TEGFET AlInAs/GaInAs/InP est effectuée dans le troisième chapitre. Les mécanismes physiques régissant le fonctionnement des composants y sont analysés et les performances électriques des divers transistors simulés sont exposées, afin de dégager des directives d'optimisation. Dans le quatrième chapitre, nous effectuons une étude expérimentale des transistors AlInAs/GaInAs/InP où les résultats des caractérisations statiques, basses fréquences et hyperfréquences sont présentés et comparés qualitativement à ceux issus de la simulation. Enfin, le cinquième chapitre consiste en une étude prospective des transistors à effet de champ à grille isolée, utilisant les matériaux AlIAs et GaInAs application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1991/50376-1991-312.pdf Bourel Philippe 1900-01-01 133267040 1991LIL10158 1991-01-01 Electronique Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui Fauquembergue Renaud 070392269 ddc:620 ASCII PDF 9999