• Langue : Français
• Discipline : Sciences des matériaux
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1991

Résumé en langue originale

Ce travail a eu pour objectif de démontrer la faisabilité de diodes Gunn InP 94 GHz. Deux voies expérimentales ont été explorées. L'une fait appel à une homostructure N+N N+, pour laquelle la croissance MOCVD du composé InP de haute pureté et son dopage au silicium et à l'étain ont été mis en œuvre et optimisés. La fabrication de diodes à radiateur intégré nous a amenés à proposer une technologie originale utilisant des structures à couche d'arrêt de GaInAs. L'autre voie a visé à utiliser comme injecteur une hétérojonction GaInAs/InP. La croissance épitaxiale du composé GaInAs et l'hétéro-interface GaInAs/InP ont été étudiées en détail. En régime impulsionnel, l'effet de limitation du courant attendu est observé alors qu'en régime continu et aux fortes polarisations, il disparaît. Corrélativement, l'effet Gunn observé est caractéristique d'un régime de sur-injection. La présence d'inclusions à l'hétéro-interface pourrait expliquer le comportement observé. Une approche qualitative non-standard du principe de fonctionnement de l'oscillateur à diode Gunn N+NN+ conduit à remettre en question l'adéquation du concept de résistance différentielle négative pour décrire le comportement dynamique de la diode Gunn et à proposer un modèle paramétrique qui semble mieux s'accorder à nos données expérimentales