• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1991

Résumé en langue originale

L'objectif de ce travail est d'étudier le fonctionnement des diodes tunnel résonnant en vue d'applications hyperfréquences. L'idée est de tirer parti de l'effet de Résistance Différentielle Négative (RDN) et de la très faible inertie des mécanismes mis en jeu pour réaliser un oscillateur ou un multiplicateur de fréquence. A cette fin, nous présentons tout d'abord des résultats de calculs de probabilités de transmission et de caractéristiques de conduction d'une structure double barrière générique. Cette analyse nous permet de dégager des éléments d'optimisation en vue d'obtenir les fréquences de coupure les plus élevées possibles. Les éléments de technologie sont ensuite discutés en envisageant successivement l'épitaxie sur substrats conducteur et semi-isolant. Trois aspects relatifs à la caractérisation des composants sont alors présentés. Nous examinons le problème lié aux oscillations parasites qui se traduisent par des distorsions dans les caractéristiques de conduction. L'existence d'un gaz bidimensionnel, à l'interface émetteur barrière, est mise en évidence grâce à des mesures sous champ magnétique. Des mesures dynamiques d'impédances résument l'influence de la densité de courant sur la fréquence de coupure de la RDN. La dernière partie concerne les applications. La fonction d'oscillation est tout d'abord démontrée moyennant l'insertion d'un circuit de stabilisation. Nous présentons ensuite des résultats extrêmement prometteurs lorsque le composant est utilisé en multiplication de fréquence. Dans ce cas en effet, le fonctionnement en quintupleur nous permet de délivrer une puissance aux longueurs d'onde submillimétriques