Université Lille1 - Sciences et Technologies Simulation Monte Carlo dibimensionnelle de transistors à effet de champ à grille isolée sur hétérostructures III-V Two dimensional Monte Carlo simulation of insulated gate field effect transistors on III-V heterostructures 621.381 528 4 Transistors à effet de champ Monte-Carlo, Méthode de Text Electronic Thesis or Dissertation fr Dans ce travail, un modèle Monte Carlo bidimensionnel, tenant compte du courant grille a été développé afin d'étudier le fonctionnement et de prédire les performances des transistors à effet de champ à hétérojonctions à grille isolée. Le premier chapitre est consacré, d'une part à la présentation générale du composant à grille isolée MIS-LIke-FET AlGaAs/GaAs, de sont intérêt et de ses domaines d'applications et d'autre part, à la description de la méthode de simulation que nous avons mise au point. Une étude complète du fonctionnement d'un composant MIS-LIke-FET AlGa/GaAs autoaligné est effectuée dans le deuxième chapitre. Les différents mécanismes physiques à l'origine de l'effet de résistance différentielle négative sont particulièrement examinés. Dans le troisième chapitre, nous étudions l'influence de nombreux paramètres technologiques sur les performances du MIS-Like-FET AlGaAs/GaAs et principalement sur les conditions d'obtention d'un régime optimal de résistance différentielle négative. Une comparaison théorie-expérience est effectuée. Le quatrième chapitre est consacré à la présentation et à l'étude du fonctionnement du transistor D.M.T. AlGaAs/GaAs qui dérive du MIS-Like-FET AlGaAs/GaAs par l'utilisation d'un canal dopé et qui permet d'obtenir un courant beaucoup plus important que ce dernier. Dans un but prospectif, le cinquième chapitre traite du fonctionnement et des performances des transistors MIS-Like-FET et D.M.T. composés d'hétérostructures AlInAs/GaInAs présentant des propriétés de transport électronique plus intéressantes que AlGaAs/GaAs application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1991/50376-1991-170.pdf Bellahsni Karim 1900-01-01 13261412X 1991LIL10095 1991-01-01 Electronique Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui Fauquembergue Renaud 070392269 ddc:620 ASCII PDF 9999