• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1991

Résumé en langue originale

Ce travail est consacré à la simulation et à la caractérisation électrique de diodes double barrière à effet tunnel résonnant. Ces composants tirent parti des effets d'interférence des ondes associées aux électrons et nous analysons ces phénomènes en régime indépendant du temps et en régime dynamique. Dans ce but, nous présentons des logiciels de simulation permettant de calculer les probabilités de passage par effet tunnel ainsi que les flux de transfert de charges pour des transports cohérent et incohérent. A l'aide de ces formalismes, nous avons étudié les propriétés bidimensionnelles du contact d'émetteur et l'influence des perturbations intrinsèques et extrinsèques au sein de la structure quantique. Les implications de ces effets sont clairement mises en évidence par une étude expérimentale des caractéristiques de conduction, dans une très large gamme de température. L'analyse des régimes transitoires permet de déterminer les temps de réponse des composants, que l'on peut relier au temps de vie du niveau quasi-lié. L'influence de celui-ci est directement évaluée par une mesure de l'impédance des diodes. Nous complétons ces aspects par l'étude des phénomènes de transport non stationnaire dans l'espace collecteur, grâce à une simulation multiparticulaire de type Monte-Carlo. Nous dégageons enfin des perspectives d'avenir par une étude préliminaire de structures multipliant les discontinuités de potentiel. C'est le cas, notamment, des structures à puits enterré et des superréseaux de dimension finie