• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1991

Résumé en langue originale

Nous étudions dans ce travail le transfert spatial dans les transistors a effet de champ à grille isolée GaAlAs/gaAs, ce phénomène étant à l'origine de l'apparition d'une résistance différentielle négative entre drain et source dans ces composants. Dans ce but, nous effectuons tout d'abord une analyse physique théorique des phénomènes à l'aide de deux outils de modélisation. Le premier correspond à un modèle simplifié qui permet de tenir compte des phénomènes liés au transfert spatial qui se produisent dans le composant, le second utilise un modèle microscopique afin d'étudier de façon plus précise certains aspects essentiels du fonctionnement du transistor (géométrie de la structure, distribution énergétique des électrons). Munis de ces deux outils, nous sommes parvenus à dégager une structure semi-conductrice présentant une résistance différentielle négative maximale dont nous donnons les principales caractéristiques. Apres avoir expose les technologies de réalisation de ces composants, nous en effectuons une caractérisation statique et/ou hyperfréquence complète, afin d'en dégager les performances essentielles mais également d'effectuer des comparaisons théorie-experience. A partir des résultats obtenus, il nous est alors possible d'explorer de façon extensive les possibilités d'application du phénomène de résistance négative en hyperfréquence, et nous présentons l'utilisation de cette dernière dans des circuits hyperfréquences pour la réalisation d'un oscillateur, d'un amplificateur, et d'un filtre actif