• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1991

Résumé en langue originale

Dans ce travail, nous étudions les phénomènes physiques de bruit dans les composants à hétérojonctions III-V comme les TEGFETs et les MISFETs. Ici nous nous intéressons essentiellement au bruit de diffusion qui dans les dispositifs utilisés en très haute fréquence devrait être la seule source de bruit qui subsiste (au-delà d'au moins 1 GHz). Cette étude consiste à effectuer des mesures de puissance de bruit en haute fréquence dans ces composants. Concernant la partie théorique de ce travail, nous avons mis au point un modèle de bruit amélioré à partir de celui de Pucel en introduisant les modifications nécessaires pour l'adapter au TEGFET. Les résultats de ce modèle sont validés par les mesures expérimentales. A partir des mesures de bruit et plus particulièrement de la température équivalente de bruit, on peut extraire le coefficient de diffusion par l'intermédiaire de la relation d'Einstein, à champ modéré. Nous présentons une évolution possible du coefficient de diffusion avec le champ électrique basée sur la loi de la température électronique locale donnée par Baechtold. L'analyse de ces courbes montre que la détermination quantitative de ce coefficient de diffusion est encore ouverte. Nous avons consacré une partie du travail à la mesure et à la simulation du bruit dans les zones d'accès du transistor