• Langue : Français
• Discipline : Sciences des matériaux
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1990

Résumé en langue originale

Nous nous sommes intéressés au cours de cette étude aux propriétés de recombinaison des porteurs minoritaires sur les dislocations. L'étude du contraste EBIC de dislocations perpendiculaires à la surface, de caractère et de dislocations de croissance a été effectuée sur des échantillons massifs d'arséniure de gallium de type n (n6.1016 cm3). Nous avons utilisé pour cela, des diodes de Schottky perpendiculaires au faisceau d'électrons. Le contraste EBIC a été mesuré à forte tension d'accélération en fonction du courant de faisceau des électrons incidents à 300 k et pour une valeur du courant de faisceau a 77 k. Les paramètres physiques du matériau tels la longueur de diffusion l des porteurs minoritaires et le niveau de dopage influencant la valeur du contraste de la dislocation, une caractérisation préalable de l'échantillon dans des zones proches des dislocations a été nécessaire. L'étude de l a 300 k et a 77 k a permis de montrer que celle-ci est contrôlée par les niveaux légers à basse température et par les niveaux profonds à température ambiante. Une variation de la largeur de la zone de charge d'espace a pu être détectée à basse température et est sans doute due à l'ionisation d'un centre profond qui pourrait être el2. Les résultats expérimentaux de contraste EBIC des dislocations sont du même ordre de grandeur que ceux calculés à partir d'un modèle physique faisant l'hypothèse d'une recombinaison intrinsèque. Les valeurs expérimentales sont environ deux fois plus faibles que les valeurs calculées; ceci nous conduit à introduire un rayon de recombinaison effectif inférieur au rayon d'écran de read utilise dans les calculs. Nous avons également pu mettre en évidence que les niveaux associés aux dislocations sont plus éloignés du niveau de fermi que les niveaux associés aux dislocations