• Langue : Français
• Discipline : Sciences des matériaux
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1990

Résumé en langue originale

Dans une première partie, nous avons étudié l'évolution des spectres de photoconductivité d'échantillons de GaAs semi-isolants ne contenant que des centres EL2 et dans un domaine d'énergie n'induisant pas le phénomène de photoévanescence. Après simulation théorique, nos résultats ont pu être expliqués en admettant que le centre EL2 est un double donneur. Nos calculs fournissent de plus une méthode originale permettant d'évaluer la densité totale des centres EL2 ainsi que le taux de compensation du matériau. Dans une seconde partie, nous avons étudié l'influence des dislocations sur l'évolution des spectres de photoconductivité. Celles-ci accélèrent d'une façon notable l'établissement de l'état d'équilibre. Afin d'expliquer ce dernier effet, nous avons en un premier temps établi une méthode de calcul permettant d'évaluer la statistique d'occupation des niveaux associés aux dislocations ainsi que leur influence sur la mobilité des porteurs libres dans le cas particulier d'échantillons isolants. Les simulations nous ont permis d'attribuer aux dislocations le rôle des centres de recombinaison très actifs et d'estimer ainsi le coefficient de capture électronique, qui leur est associé