Université Lille1 - Sciences et Technologies Contribution à l'optimisation de l'interface Si3N4/Ga[subscript 0.47]In[subscript 0.53]As pour la réalisation de MISFETs à haute stabilité Contribution to Si(3)N(4)/Ga(0.47)In(0.53)As interface optimization for high stability MISFET fabrication 621.381 528 4 Transistors à effet de champ Text Electronic Thesis or Dissertation fr Les auteurs ont étudié les propriétés électriques de l'interface Si(3)n(4)/GaInAs pour optimiser un procédé de fabrication des transistors MISFETs sur GaInAs. Afin de remédier aux problèmes de dérive du courant généralement observés. Sur ce type de dispositif, le procédé choisi se définit par trois points principaux : un système opérant sous ultravide, la désoxydation de la surface de GaInAs et le dépôt de nitrure de silicium par plasma multipolaire. application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1988/50376-1988-215.pdf Barrier Joël 1900-01-01 033482659 1988-01-01 Sciences des matériaux Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui Stievenard Didier 031746535 ddc:620 ASCII PDF 9999