Université Lille1 - Sciences et Technologies Modélisation et optimisation en vue de réalisations technologiques de M.E.S.F.E.T. et de T.E.G.F.E.T. AlGaAs/GaAs Modeling and optimization in view of technological realizations of MESFET and TEGFET AlGaAs/GaAs 621.381 528 4 Circuits intégrés Transistors à effet de champ Text Electronic Thesis or Dissertation fr Une méthode de modélisation de transistor à effet de champ a été mise au point pour l'analyse de structures existantes, pour le contrôle de la technologie et la recherche de structures optimales en circuits integrés monolithiques hyperfréquence. Elle est utilisée pour définir une structure mesfet optimale ainsi que celle d'un tegfet en algaas/gaas. application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1988/50376-1988-135.pdf Godts-Poubelle Pascale 1900-01-01 131292757 1988LIL10081 1988-01-01 Électronique Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui Constant Eugène 071453474 ddc:620 ASCII PDF 9999