Université Lille1 - Sciences et Technologies Caractérisation de la formation des interfaces silicium-titane et silicium-siliciures de titane Characterization of the formation of silicon-titanium and silicon-titanium sillicides interfaces 620.193 Couches minces Croissance Auger, Effet Structure électronique Siliciures Interfaces (sciences physiques) Text Electronic Thesis or Dissertation fr Caractérisation sous ultra-vide par spectroscopies Auger et de pertes d'énergie, diffraction d'électrons lents et microscopie électronique. Il est montré que l'interface Ti-Si à 25°C n'est pas abrupte sauf en présence d'impuretés. Lors des recuits de films Ti, mise en évidence de l'importance de la diffusion aux joints de grain, de la structure polycristalline à petits grains des films obtenus et de la difficulté de fabriquer un film continu de TiSi2 de faible épaisseur dans sa phase de faible résistivité. Le dépôt de Ti sur Si chauffé (200-400°C) conduit à des croissances dont le caractère tridimensionnel augmente avec la température du support et à 400 °C, l'épitaxie locale de grains TiSi2 sur le support est observée. Cette méthode n'améliore ni la morphologie du film, ni la rugosité de l'interface : nécessité d'explorer d'autres procédures. application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1988/50376-1988-131.pdf Wallart Xavier 1900-01-01 03424879X 1988LIL10080 1988-01-01 Science des matériaux Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui Dalmai Gisèle 075107430 ddc:620 ASCII PDF 9999