Titre original :
Modélisation de transistors à effet de champ à hétérojonctions : application au MISFET GaAlAs/GaAs et à l'étude du transfert électronique dans l'espace réel
- Langue : Français
- Discipline : Électronique
- Identifiant : Inconnu
- Type de thèse : Doctorat
- Date de soutenance : 01/01/1988
Résumé en langue originale
Les auteurs développent une méthode générale de modélisation permettant de prendre en compte tous les phénomènes se produisant dans les transistors à effet de champ GaAs et GaAlAs (MESFET, ). Le modèle est appliqué à l'étude du MISFET AlGaAs/GaAs. D'autre part, les auteurs exposent une théorie analytique sans paramètres ajustables permettant de modéliser la résistance différentielle négative due au transfert électronique dans l'espace réel.
- Directeur(s) de thèse : Constant, Eugène
AUTEUR
- Depreeuw, Didier
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