Université Lille1 - Sciences et Technologies Caractérisation par cathodoluminescence de couches GaAs épitaxiées et de leurs dislocations Cathodoluminescence characterization of gaas epilayers and of their dislocations 549.32 Cathodoluminescence Arséniure de gallium Dislocations dans les semiconducteurs Text Electronic Thesis or Dissertation fr Dans une première partie, nous avons utilisé la cathodoluminescence comme méthode locale de caractérisation de couches épitaxiées. Nous discutons de l'influence, sur cette intensité, des longueurs de diffusion dans les différentes couches ainsi que des vitesses de recombinaison en surface et aux interfaces. Les expériences ont été réalisées à 300 K et à 77 K sur des structures à deux couches déposées sur un substrat; les échantillons sont des homojonctions GaAs obtenues par MBE (Molecular Beam Epitaxy), ainsi qu'une hétérostructure InP/GalnAs/InP obtenue par MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition). Nous avons étudié l'influence de la température de croissance et du dopage en silicium sur les paramètres. Dans une seconde partie, un modèle physique de contraste de cathodoluminescence de dislocations perpendiculaires à la surface est proposé. Nous avons étudié le contraste de cathodoluminescence de dislocations de croissance et de dislocations fraîches introduites par microindentations dans des couches épitaxiées de dopages différents (4.1017 et 2.1018 cm3). Pour la première fois, les champs électriques associés au champ de déformation de la dislocation sont envisagés comme étant à l'origine de la recombinaison aux dislocations. L'augmentation de l'efficacité de recombinaison de la dislocation avec le dopage et des portées de capture de l'ordre de 2000 A expliquent les fortes valeurs de contraste obtenues expérimentalement application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1990/50376-1990-136.pdf Meerschman Christian de 1900-01-01 135288185 1990LIL10076 1990-01-01 Sciences des matériaux Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui Sieber Brigitte 059921005 ddc:540 ASCII PDF 9999