• Langue : Français
• Discipline : Sciences physiques
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1990

Résumé en langue originale

Ce mémoire consiste en une étude théorique des composants submicroniques à effet de champ conventionnel et à hétérojonction. La compréhension des phénomènes physiques régissant le fonctionnement de ces dispositifs et la prédiction de leurs performances nécessitent un modèle théorique. Dans la première partie, nous présentons le modèle bidimensionnel particulaire Monte-Carlo, et justifions les différentes approximations faites. La seconde partie est consacrée à une étude du FET AsGa. Nous étudions l'influence des paramètres technologiques sur les performances du transistor et dégageons des règles d'optimisation. Nous montrons la possibilité d'obtenir des transconductances voisines de 1300 ms/mm, valeurs retrouvées expérimentalement. Dans la troisième partie, nous mettons en évidence les phénomènes importants qui conditionnent le fonctionnement du TEGFET GaAlAs/GaAs. Les performances potentielles de ce composant y sont évaluées. Dans la quatrième partie, nous envisageons pour améliorer les performances du TEGFET GaAlas/GaAs, deux voies. La première est le remplacement du couple de matériaux GaAlAs/GaAs par le couple ALInAs/GaInAs, et la seconde est un changement de géométrie, la structure inversée. Nous montrons l'avantage de ces solutions et la possibilité d'obtenir des performances très intéréssantes pour le TEGFET inversé. Enfin, dans la cinquième partie, nous présentons une étude prospective des composants réalisés à partir des matériaux pseudomorphiques