Université Lille1 - Sciences et Technologies Caractérisation des transistors à effet de champ : mesure précise de la matrice de répartition et détermination directe du schéma équivalent Micro wave characterization of fxield effect transistors: accurate measurement of scattering parameters, and direct determination of small signal equivalent circuit Sciences appliquées : électronique Field effect transistor/characterization/microwave transistor/performance analysis/calibration/extraction/s parameter/small signal behavior/testing equipment Transistor effet champ/caractérisation/transistor hyperfréquence/analyse performance/étalonnage/extraction/paramètre s/régime signal faible/appareillage essai 621.381 528 4 Transistors à effet de champ Text Electronic Thesis or Dissertation fr Ce mémoire présente une étude théorique et expérimentale des méthodes et moyens de caractérisation hyperfréquence des composants à effet de champ. La première partie présente une étude des techniques d'étalonnage adaptées au TEC ; la seconde, une méthode d'extraction directe du schéma équivalent petit signal. En dernière partie, une cellule de test 40 GHz adaptée aux mesures des TEC est conçue, réalisée et testée. On décrit aussi la mise en œuvre d'un système de mesures hyperfréquence sous pointes. application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1989/50376-1989-93.pdf Dambrine Gilles 1900-01-01 05991503X 1989-01-01 Electronique Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui Cappy Alain 056754701 ddc:620 ASCII PDF 9999