Titre original :
Propriétés optiques de dislocations dans GaAs : Conséquences sur la photoplasticité et les phénomènes de dégradation
Mots-clés en français :
- Physique : état condense : propriétés électriques, magnétiques, optiques
- Etude expérimentale/propriété optique/défaut cristallin/dislocation/photoelasticité/photoplasticité/niveau défaut cristallin/bande interdite/photoluminescence/effet hall/recombinaison porteur charge/mouvement dislocation/glissement/montée dislocation/dégradation/composé minéral/semiconducteur/gallium arseniure
- Experimental study/optical properties/crystal defect/dislocation/photoelasticity/photoplasticity/crystal defect level/energy gap/photoluminescence/hall effect/charge carrier recombination/dislocation motion/slip/dislocation climb/degradation/inorganic compound/semiconductor materials/gallium arsenides
- Photoplasticité
- Photoluminescence
- Langue : Français
- Discipline : Sciences des matériaux
- Identifiant : Inconnu
- Type de thèse : Doctorat
- Date de soutenance : 01/01/1989
Résumé en langue originale
Détermination des niveaux d'énergie dans la bande interdite associés aux dislocations. Conséquences sur la photoplasticité et les phénomènes de dégradation.
- Directeur(s) de thèse : Farvacque, Jean-Louis
AUTEUR
- Depraetere, Eric
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