Titre original :
Etude et réalisation de photorécepteurs pour les longueurs d'onde 1,3 um - 1,55 um intégrés monolithiquement à base de nouvelles structures semiconductrices à fort désaccord de mailles
Mots-clés en français :
- Sciences appliquées : électronique
- Photoreceptor/monolithic integrated circuit/double heterojunction/gallium indium phosphides mixed/gallium indium arsenides mixed/indium phosphides/photodiode/schottky barrier diode/field effect transistor
- Photorécepteur/circuit intégré monolithique/hétérojonction double/gallium indium phosphure mixte/gallium indium arseniure mixte/indium phosphure/photodiode/diode barrière Schottky/transistor effet champ
- Photorécepteurs
- Langue : Français
- Discipline : Electronique
- Identifiant : Inconnu
- Type de thèse : Doctorat
- Date de soutenance : 01/01/1989
Résumé en langue originale
L'objet de ce travail est d'étudier dans quelle mesure, il est possible d'adapter la technologie de la filière GaAs, aux matériaux de la filière InP, pour la fabrication d'une tête de réception optique intégrée monolitrhiquement et adaptée aux longueurs d'onde 1,3 mu m et 1,55 mu m. Réalisation technologique de la tête optique intégrée associant une photodiode Schottky en structure planaire et un transistor à effet de champ sur une hétéroepitaxie GaInP/GaInAs/InP. mise au point d'un logiciel pour optimiser la structure de la tête de réception.
- Directeur(s) de thèse : Decoster, Didier
AUTEUR
- Hosseini Tehrani, Atoosa
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