• Langue : Français
• Discipline : Sciences physiques
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1989

Résumé en langue originale

Après déformation plastique, on observe sur tous les spectres d'absorption optique de GaAs, comme pour la plupart des semiconducteurs, un décalage du front d'absorption interbande vers les basses énergies. Par contre, aucune transition optique directe à partir de bandes d'énergies associées aux dislocations n'est jamais visible. L'analogie de cet effet avec l'effet Franz-Keldysh nous a conduit à développer un modèle d'absorption optique interbande induite par les champs électriques associés aux dislocations (champ de ligne chargée, de déformation et piézoélectrique).Utilisant ce modèle dans le cas de GaAs, nous en déduisons que les dislocations possèdent deux bandes d'énergie dans GaAs, respectivement situées près de la bande de valence et au milieu de la bande interdite. Une bande de photoluminescence centrée sur 1,13 ev est également observée dans GaAs après déformation plastique. Ses caractéristiques indiquent la présence de défauts ponctuels situés au cœur des dislocations, qui pourraient être des solitons ou des décrochements. nous avons également étudié la création de défauts ponctuels au cours de la déformation plastique. Un des effets les plus remarquables est l'apparition de petits amas lacunaires, mis en évidence par photoluminescence et temps de vie des positions. Une des conséquences pourrait être la création de défauts EL2 pendant la déformation plastique, que nous avons pu mettre clairement en évidence et que nous proposons d'expliquer par un modèle simple