• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1989

Résumé en langue originale

L'exposition d'AsGa dopé Si de type n a un plasma RF d'hydrogène, provoque une forte diminution de concentration en électron libre. Cet effet qui s'accompagne d'une augmentation de la mobilité électronique s'explique par la neutralisation des donneurs actifs. Ce phénomène, utilisé de façon très localisé dans une epitaxie fortement dopée, permet de réaliser des transistors a effets de champ (HTEC) de résistances d'accès faibles, caractérisés par une concentration en impureté peu élevée au voisinage immédiat de la grille. Nous présentons ici la mise au point de ce nouveau procédé de fabrication de transistors ainsi que leurs performances. Dans le but d'optimiser ceux-ci nous avons conçu un modèle de type Monte Carlo de la diffusion et de la complexation de l'hydrogène dans l'AsGa, qui couplé à un second logiciel permet de prédéterminer les caractéristiques électriques du HTEC. Suite à la caractérisation des épitaxies hydrogénées, nous avons réalisé un premier transistor qui avec une grille d'une longueur de 1,2 micron présente une transconductance de 300 ms/mm et une fréquence de coupure de 15 GHz. Puis en optimisant la technologie, conditions de plasma, masquage électronique, utilisation d'une grille en T, nous avons obtenu un transistor qui avec une longueur de grille de 0,7 micron, offre une transconductance de 420 ms/mm et une fréquence de coupure de 30 GHz. Parallèlement à ces études nous avons étendu l'utilisation de ce procédé aux transistors à hétérostructure, en réalisant un H-MISFET, qui a démontré la faisabilité de ce type de composant. Une autre voie a été étudiée qui utilise la propriété de réactivation thermique des complexes neutres : le changement possible, après technologie, des performances électriques de composants actifs ou passifs réalisés sur epitaxie hydrogénée