• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1989

Résumé en langue originale

Nous avons développé deux modèles complémentaires. Le premier permet de simuler le fonctionnement de structures semiconductrices à jonction PN ne faisant pas intervenir d'effet quantique. Dans le deuxième modèle, le composant semiconducteur est associé à son circuit de charge défini simplement sous forme d'éléments localisés. Grâce au premier type de modèle, nous étudions les diodes à avalanche et temps de transit a l'arséniure en bande Ku. Nous mettons en évidence le fonctionnement multifréquence, la collection prématurée des porteurs. Cette première étude montre que la structure à zone de dérive unique de type Read est particulièrement bien adaptée pour un fonctionnement en régime d'oscillations continues. Le deuxième type de modèle est utilisé pour l'analyse des différents régimes transitoires auxquels est soumis un limiteur passif à diode PIN au silicium pendant son fonctionnement complexe. Nous considérons en particulier l'influence de la phase à l'origine et de l'enveloppe du signal d'entrée appliqué.