Titre original :
Etude des propriétés physiques et performances potentielles en basses températures du transistor à effet de champ à haute mobilité électronique AlGaAs/GaAs
Mots-clés en français :
- Sciences appliquées : électronique
- Field effect transistor/high electron mobility transistor/heterojunction transistor/aluminium gallium arsenides mixed/gallium arsenides/physical properties/noise factor/microwave/low temperature/charge carrier trapping
- Transistor effet champ/transistor mobilité électron élevée/transistor hétérojonction/aluminium gallium arséniure mixte/gallium arséniure/propriété physique/facteur bruit/hyperfréquence/basse température/piégeage porteur charge
- Transistors à effet de champ
- Langue : Français
- Discipline : Electronique
- Identifiant : Inconnu
- Type de thèse : Doctorat
- Date de soutenance : 01/01/1989
Résumé en langue originale
Mise en œuvre d'un modèle de simulation pseudo-bidimensionnelle au transistor a mobilité électronique élevée (HEMT) à grille submicronique permettant de prévoir ses performances potentielles à la température de l'azote liquide.
- Directeur(s) de thèse : Vanoverschelde, André
AUTEUR
- Belache, Areski
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