• Langue : Français
• Discipline : Physique des matériaux
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1985

Résumé en langue originale

L'influence de la déformation plastique sur les propriétés électroniques des emiconducteurs ne provient pas uniquement des propriétés intrinsèques des dislocations mais également de leur interaction avec des défauts plus élémentaires. Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés de photoconductivité d'échantillons semi-isolants (dopés Cr) après déformation plastique. Les mesures expérimentales ont montré : premièrement que les spectres obtenus évoluaient considérablement (à 77°Kelvin) avec le temps d'éclairement nécessaire aux mesures, deuxième que les dislocations accéléraient fortement la cinétique d'évolution de ces spectres de photoconductivité. L'analyse des résultats montre que cet effet mémoire est relié à l'existence du donneur profond "EL2". Ce travail a donc permis de préciser les interactions qui existent entre ce centre et les dislocations, et plus particulièrement de montrer que les champs de déformation des dislocations sont responsables d'une dispersion de l'énergie d'ionisation du complexe "EL2", et sont de ce fait responsables de l'existence de toute une famille de ces donneurs. Enfin, ces résultats montrent que le glissement de ces dislocations est capable d'accroître la densité de centres "EL2" dans des proportions importantes.